除了众所周知的栅氧化物驱动的降解机制外，在碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)第三代半导体材料中还发现了一个导致参数长期不稳定的新机制，其不是由静态栅极电压应力驱动，而是由开关事件本身驱动。这种退化机制被称为栅极开关不稳定性。动态HTGB/GB测试系统即为评估栅极开关不稳地性开发的专用设备。