Dynamic H3TRB测试系统

创新的SiC和GaN半导体可靠性测试

在碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)第三代半导体材料中，新的失效机制的一些影响通过传统的H3TRB测试是不可见的，但仍然对实际应用产生影响。通过动态H3TRB测试，可以缩小认证中的这一差距。在恒温恒湿的环境下，被测件暴露在电压快速升高的动态漏极刺激下。电压的变化导致磁场的快速变化，从而对腐蚀产生影响。这一过程加速了被测件的劣化，也可能加速了绝缘材料的劣化。